False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study

"Los potenciales relacionados con eventos (ERP) se utilizaron para determinar los efectos del nivel de procesamiento en la memoria verdadera y falsa, utilizando el paradigma Deese-Roediger-McDermott (DRM). En el paradigma DRM, se estudian listas de palabras altamente asociadas a una sola palabr...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores Principales: Cadavid Espinha, Sara, Beato, María Soledad, Boldini, Angela
Formato: Artículo (Article)
Lenguaje:Inglés (English)
Publicado: Lippincott Williams y Wilkins 2012
Materias:
Acceso en línea:https://repository.urosario.edu.co/handle/10336/27721
https://doi.org/10.1097/WNR.0b013e32835734de
id ir-10336-27721
recordtype dspace
spelling ir-10336-277212020-08-19T14:43:31Z False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study Memoria falsa y efecto del nivel de procesamiento: un estudio potencial relacionado con eventos Cadavid Espinha, Sara Beato, María Soledad Boldini, Angela Paradigma de Deese-Roediger-McDermott Potenciales relacionados con eventos Falso reconocimiento Ilusión de memoria Deese-Roediger-McDermott paradigm Avent-related potentials False recognition Memory illusion "Los potenciales relacionados con eventos (ERP) se utilizaron para determinar los efectos del nivel de procesamiento en la memoria verdadera y falsa, utilizando el paradigma Deese-Roediger-McDermott (DRM). En el paradigma DRM, se estudian listas de palabras altamente asociadas a una sola palabra no presentada (el ""señuelo crítico"") y, en una prueba de memoria posterior, los señuelos críticos a menudo se recuerdan falsamente. Aquí se presentaron de forma auditiva listas con tres señuelos críticos por lista a los participantes que las estudiaron con una tarea de procesamiento superficial (indicando si la palabra contenía la letra 'o') o profunda (creando una imagen mental de la palabra). Se utilizó la modalidad de presentación visual en una prueba de reconocimiento final. El verdadero reconocimiento de las palabras estudiadas fue significativamente mayor después de la codificación profunda, mientras que el falso reconocimiento de señuelos críticos no representados fue similar en ambos grupos experimentales." Event-related potentials (ERPs) were used to determine the effects of level of processing on true and false memory, using the Deese–Roediger–McDermott (DRM) paradigm. In the DRM paradigm, lists of words highly associated to a single nonpresented word (the ‘critical lure’) are studied and, in a subsequent memory test, critical lures are often falsely remembered. Lists with three critical lures per list were auditorily presented here to participants who studied them with either a shallow (saying whether the word contained the letter ‘o’) or a deep (creating a mental image of the word) processing task. Visual presentation modality was used on a final recognition test. True recognition of studied words was significantly higher after deep encoding, whereas false recognition of nonpresented critical lures was similar in both experimental groups. At the ERP level, true and false recognition showed similar patterns: no FN400 effect was found, whereas comparable left parietal and late right frontal old/new effects were found for true and false recognition in both experimental conditions. Items studied under shallow encoding conditions elicited more positive ERP than items studied under deep encoding conditions at a 1000–1500ms interval. These ERP results suggest that true and false recognition share some common underlying processes. Differential effects of level of processing on true and false memory were found only at the behavioral level but not at the ERP level. 2012-09-12 2020-08-19T14:43:31Z info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion ISSN: 0959-4965 EISSN: 1473-558X https://repository.urosario.edu.co/handle/10336/27721 https://doi.org/10.1097/WNR.0b013e32835734de eng info:eu-repo/semantics/restrictedAccess application/pdf Lippincott Williams y Wilkins NeuroReport
institution EdocUR - Universidad del Rosario
collection DSpace
language Inglés (English)
topic Paradigma de Deese-Roediger-McDermott
Potenciales relacionados con eventos
Falso reconocimiento
Ilusión de memoria
Deese-Roediger-McDermott paradigm
Avent-related potentials
False recognition
Memory illusion
spellingShingle Paradigma de Deese-Roediger-McDermott
Potenciales relacionados con eventos
Falso reconocimiento
Ilusión de memoria
Deese-Roediger-McDermott paradigm
Avent-related potentials
False recognition
Memory illusion
Cadavid Espinha, Sara
Beato, María Soledad
Boldini, Angela
False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
description "Los potenciales relacionados con eventos (ERP) se utilizaron para determinar los efectos del nivel de procesamiento en la memoria verdadera y falsa, utilizando el paradigma Deese-Roediger-McDermott (DRM). En el paradigma DRM, se estudian listas de palabras altamente asociadas a una sola palabra no presentada (el ""señuelo crítico"") y, en una prueba de memoria posterior, los señuelos críticos a menudo se recuerdan falsamente. Aquí se presentaron de forma auditiva listas con tres señuelos críticos por lista a los participantes que las estudiaron con una tarea de procesamiento superficial (indicando si la palabra contenía la letra 'o') o profunda (creando una imagen mental de la palabra). Se utilizó la modalidad de presentación visual en una prueba de reconocimiento final. El verdadero reconocimiento de las palabras estudiadas fue significativamente mayor después de la codificación profunda, mientras que el falso reconocimiento de señuelos críticos no representados fue similar en ambos grupos experimentales."
format Artículo (Article)
author Cadavid Espinha, Sara
Beato, María Soledad
Boldini, Angela
author_facet Cadavid Espinha, Sara
Beato, María Soledad
Boldini, Angela
author_sort Cadavid Espinha, Sara
title False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
title_short False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
title_full False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
title_fullStr False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
title_full_unstemmed False memory and level-of-processing effect: An event-related potential study
title_sort false memory and level-of-processing effect: an event-related potential study
publisher Lippincott Williams y Wilkins
publishDate 2012
url https://repository.urosario.edu.co/handle/10336/27721
https://doi.org/10.1097/WNR.0b013e32835734de
_version_ 1676074333242392576
score 11,384008