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Estudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas

Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustr...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores Principales: Mesa, Fredy, Dussan, Anderson, Paez-Sierra, Beynor A.
Otros Autores: NANOTECH
Formato: Documento de trabajo (Working Paper)
Lenguaje:Español (Spanish)
Publicado: 2014
Materias:
Semiconductores, DRX, celdas solares, estructura cristalina
Semiconductors, XRD, solar cells, crystalline structure
Acceso en línea:http://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12552
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recordtype dspace
spelling ir-10336-125522019-09-19T12:38:03Z Estudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas Structural study of semiconductors for photovoltaic applications Mesa, Fredy Dussan, Anderson Paez-Sierra, Beynor A. NANOTECH Semiconductores, DRX, celdas solares, estructura cristalina Semiconductors, XRD, solar cells, crystalline structure Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS2 y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu2Se y In2Se3 We present a study of the structural properties of Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) semiconductor compounds used as absorber layer in optoelectronic devices. The samples were grown by co-evaporation processes of the metallic species on glass substrates. The effect of preparation conditions on the structural properties and chemical composition has been analyzed and made from X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The results show that all compounds grow with orthorhombic structure, unlike the SnS2 and CIGS growing hexagonal and tetragonal structure, respectively. The compositional results showed that after the deconvolution of peaks associated phases Cu2Se and In2Se3 were found. 2014-07 2016-11-02T20:40:24Z info:eu-repo/semantics/workingPaper info:eu-repo/semantics/publishedVersion http://repository.urosario.edu.co/handle/10336/12552 spa http://creativecommons.org/licenses/by-nc/2.5/co/ info:eu-repo/semantics/openAccess application/pdf instname:Universidad del Rosario reponame:Repositorio Institucional EdocUR K. Takarabe, K. Kawai, S. Minomura, T. Irie, M. Taniguchi, J. Appl. Phys. 71, 441 (1992). A. Dussan, F. Mesa, G. Gordillo, J. Mater. Sci. 45, 2403 (2010). F. Fan, L. Wu, S. Yu, Energy Environ. Sci. 7, 190 (2014). N. Gerein, J. Haber, Chem. Mater.18, 6297 (2006). V. Saji, S. Lee, C. Lee, J. Korean Electrochemical Soc. 14, 61 (2011). F. Mesa, G. Gordillo, C. Calderon, Thin Solid Films 518, 1764 (2010). F. Mesa et. al, Beilstein J Nanotechnol. 3, 277 (2012). M. Kumar, C. Person, Appl. Phys. Lett. 102, 062109 (2013) D. Briggs, M.P. Seah, John WILLEY & SONS. Vol. 1, second edition (1993). S. Mischler, H.J. Mathieu, D. Landolt, Surf. Interface Anal. 11, 182 (1988). D.J. Fabian, E. Kallne, J.C. Fuggle, L.M. Watson, Phys. Rev. B 16, 750 (1977). Di Chen, Guozhen Shen, Kaibin Tang, Xianming Liu, Yitai Qian, Guien Zhou, J. Cryst. Growth 253, 512 (2003).
institution EdocUR - Universidad del Rosario
collection DSpace
language Español (Spanish)
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Mesa, Fredy
Dussan, Anderson
Paez-Sierra, Beynor A.
Estudio estructural de semiconductores usados en aplicaciones fotovoltaicas
description Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi2S3, SnS, SnS2, SnS:Bi, Cu3BiS3 y Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS2 y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu2Se y In2Se3
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